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‘10나노급 D램 시대’ 개막
관리자 님이 올려주신 글입니다. 2016-04-05 10:39:04, 조회 : 3,119, 추천 : 35


삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 5일 밝혔다.

삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한번 반도체 미세공정의 한계를 돌파하며 메모리 기술의 새로운 이정표를 세웠다.

이번 제품에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique)’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술을 적용했다고 삼성전자는 강조했다. 이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 더욱 높였다.

‘초고집적 설계 기술’은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다.

또한 10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있다. 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있어 차세대 엔터프라이즈 서버 시장에 최적의 솔루션을 제공할 것으로 회사측은 기대하고 있다.

특히 삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 ‘사중 포토 노광 기술’을 업계 최초로 D램에도 구현해 D램 핵심 공정 기술의 새로운 지평을 열었다.

사중 포토 노광기술(QPT, Quadruple Patterning Technique)은 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술이다.


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